芯片，是LED的核心部件。目前国内外有很多LED芯片厂家，然芯片分类没有统一的标准，若按功率分类，则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类，则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类，一般分为方片、圆片两种;若按电压分类，则分为低压直流芯片和高压直流芯片。

衬底材料技术成关键

目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前，市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，但这两种材料价格都非常昂贵，且都为国外大企业所垄断，而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多，可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破国际专利壁垒，公海船赌博光电从2006年成立以来，就专注硅衬底LED芯片的研究和开发，也是目前世界上唯一一家将硅衬底LED产品推向市场的公司。

从衬底角度看，蓝宝石和碳化硅衬底技术已经相对成熟，但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于价格战日益严重的LED市场来说，硅衬底更有成本和价格优势：硅衬底是导电衬底，不但可以减少管芯面积，还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤，加之，硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低，在加工方面也可以节省一些成本。

目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。

硅衬底芯片技术突飞猛进

公海船赌博光电从公司成立之初，就创新性地运用“硅”代替传统的蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基LED器件，并在全球率先将具有自主知识产权的硅衬底LED技术产业化。这是一项改写半导体照明历史的颠覆性新技术，具有原创技术产权。国家863专家组对此项技术的评价是：“打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国CREE公司垄断碳化硅基半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅基半导体照明技术方案三足鼎立的局面。”

2009年公海船赌博光电推出硅衬底小功率LED产品，2012年推出硅衬底大功率LED产品，2013年在广州国际照明展上，公海船赌博光电展出的6英寸硅衬底LED芯片，以及联合下游中节能晶和照明公司推出的采用大功率LED芯片的路灯模组，引起了国内外众多行业人士的广泛关注。硅衬底LED大功率芯片发光效率由2011年的90流明/瓦提升到目前的150流明/瓦，产品性能已与当前市场上主流的蓝宝石LED产品水平相当，甚至在部分领域超过了当前的主流技术。

未来三年，全球LED照明呈井喷式增长，硅衬底LED技术将以技术创新提升竞争优势、垂直整合打造规模发展、渠道建设营造品牌效应，三驾马车迎接挑战。